ISSI 集成电路、处理器、微控制器 IS43TR16128CL-125KBLI IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 现货技术参数品牌：ISSI型号：IS43TR16128CL-125KBLI批号：1811+封装：TFBGA96数量：10000QQ：2253129633描述：IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS
ISSI 集成电路、处理器、微控制器 IS43TR16128CL-125KBLI IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 现货
| 品牌： | ISSI |
| 型号： | IS43TR16128CL-125KBLI |
| 批号： | 1811+ |
| 封装： | TFBGA96 |
| 数量： | 10000 |
| QQ： | 2253129633 |
| 描述： | IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 3（168 小时） |
| 原厂标准交货期： | 6 周 |
| 详细描述： | SDRAM-DDR3L-存储器-IC-2Gb（128M-x-16）-并联-800MHz-20ns-96-TWBGA（9x13） |
| 数据列表： | IS4xTR16128C(L), IS4xTR82560C(L); |
| 标准包装： | 190 |
| 包装： | 托盘 |
| 零件状态： | 有源 |
| 类别： | 集成电路（IC） |
| 产品族： | 存储器 |
| 系列： | - |
| 其它名称： | 706-1597 |
| 存储器类型： | 易失 |
| 存储器格式： | DRAM |
| 技术： | SDRAM - DDR3L |
| 存储容量： | 2Gb（128M x 16） |
| 存储器接口： | 并联 |
| 时钟频率： | 800MHz |
| 写周期时间 - 字，页： | 15ns |
| 访问时间： | 20ns |
| 电压 - 供电： | 1.283V ~ 1.45V |
| 工作温度： | -40°C ~ 95°C（TC） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 96-TFBGA |
| 供应商器件封装： | 96-TWBGA（9x13） |
